硅单晶检测项目

晶体纯度：此项目检测晶体中杂质的浓度，以确定其纯净度水平。

晶体生长压力：此项测量在晶体生长过程中施加的压力条件。

晶体生长时间：该测试评估从开始到晶体完全形成所需耗费的时间。

晶体晶格缺陷：通过此检测可以确定晶体内部结构中的任何不完善性或缺陷。

晶体表面污染：该项目评估晶体表面是否受到外部物质的污染。

晶体内部应力：这项检测用于量化晶体内部的力学应力分布。

晶体晶格常数：通过测定晶体晶格的基本几何尺寸来评估其微观结构特性。

晶体表面平整度：此项目评估晶面是否平滑且无显著不规则性。

晶体生长气氛：此检测项关注于晶体生长过程中周围环境气体的成分和状态。

晶体生长方法：该项目描述用于培养硅单晶的具体技术或工艺路线。

硅单晶执行标准依据

GB/T12962-2015《硅单晶》

YB1602-1983《硅单晶》

GB/T25076-2018《太阳能电池用硅单晶》

T/IAWBS001-2017《碳化硅单晶》

GB/T26065-2010《硅单晶抛光试验片规范》

做检测，上百检。